2014年4月17日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)推出5款新的靜電放電(ESD)抑制器,用於當今最先進的介面。專利申請中的設計技術及製程技術使這些元件能夠提供業界最低的電容及ESD鉗位電壓,適合用於極高數據率介面及小尺寸幾何晶片組。

ESD8000瞬態電壓抑制器(TVS)系列達到0.35皮法(pF)的最大電容規格,16安培(A)電流時的ESD鉗位電壓低至8 V,符合IEC61000-4-2 Level 4之8千伏(kV)接觸放電規範。極低電容在數據率高於10 Gbps的數據線路信號完整性上幾乎消除任何數據線降解(degradation),支援新興的介面,如USB 3.0, USB 3.1, HDMI 2.0, 和Thunderbolt。隨著晶片組幾何尺寸朝低於20奈米(nm)演進,它們對瞬態電壓因而更敏感,使ESD8000系列的低鉗位電壓增強了系統級ESD測試保護性能。

安森美半導體保護方案分部副總裁兼總經理Gary Straker說:「這些新TVS產品採用了創新技術,突破ESD鉗位元電壓的業界界限,提供超低電容。因此,它們可以保護當今基於最新製程技術的高速介面及積體電路,免其受ESD衝擊損傷。」

4線ESD8004和ESD8104採用業界標準面積為2.5 x 1 mm 的UDFN-10封裝,可以保護兩對電壓敏感型高速數據線路,使它們適合最新串列介面標準,如USB 3.0、HDMI 2.0及eSATA。穿越型(flow-through)封裝使印刷電路板(PCB)布線簡便,匹配的走線長度為維持高速差動線路之間的一致性阻抗所需的。

ESD8008在單個封裝中集成了8條線路或4個差動對,用於高畫質多媒體介面(HDMI)、DisplayPort及V-by-One HS介面。

6線ESD8006 TVS經過了優化,用於保護在10 Gbps操作最快的介面,如Thunderbolt及USB 3.1。這些元件提供0.25 pF電容,利用單連接穿越繞線封裝,省去了其它穿越型封裝中常見的“無連接”引腳,確保盡量降低將對數據線路及信號完整性的寄生影響。

ESD8040設計來專門針對為HDMI介面及DisplayPort輸入/輸出(IO)提供全功能集成ESD保護元件。此元件採用創新及節省空間的封裝,在高速線路上仍維持單連接穿越型繞線,優化接腳布局及繞線,以保護14條線路介面之全部數據、電源及控制線路。在單個封裝中全集成保護的14條線路,結合業界領先的性能,使這元件成為講究嚴格保護的HDMI 2.0介面的極佳方案。ESD8040還兼容HDMI 1.3和1.4。

封裝及價格
ESD8004及ESD8104採用無鉛UDFN-10封裝,每3,000片批量的單價分別為0.16和0.12美元;而ESD8040採用無鉛UDFN-18封裝,每3,000片批量的單價為0.40美元。ESD8006及ESD8008分別採用無鉛DFN-8及UDFN-14封裝,每3,000片批量的單價為0.15及0.19美元。

• 在Twitter上關注@onsemi:twitter.com/onsemi

關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)致力於推動高能效電子的創新,使客戶能夠減少全球的能源使用。公司全面的高能效電源和信號管理、邏輯、分立及定制方案陣容,幫助設計工程師解決他們在汽車、通信、電腦、消費電子、工業、LED照明、醫療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目,及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括製造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網路。更多資訊請訪問http://www.onsemi.com。

類似的文章

0 7

沒有留言

撰寫留言