安森美半導體進一步擴展IGBT系列, 推出基於第三代超場截止技術的1200 V元件

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為高功率開關系統在電源能效方面設立新的基準
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推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號: ON),推出新系列絕緣閘雙極型電晶體(IGBT),採用公司專有的超場截止溝槽技術。NGTB40N120FL3WG、NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG的設計旨在提升工作性能水平,以符合現代開關應用的嚴格要求。這些1200伏特(V)元件能實現領先行業的總開關損耗(Ets)特點;性能表現的顯著提升,部份歸功於極寬的高度觸發場截止層及優化的共同封裝二極體。

NGTB40N120FL3WG的Ets為2.7毫焦耳(mJ),而NGTB25N120FL3WG的Ets為1.7 mJ。兩款元件在各自額定電流下的VCEsat均為1.7 V。NGTB40N120L3WG經優化提供低導通損耗,額定電流下的VCEsat為1.55 V,Ets為3 mJ。新的超場截止產品與一個具有軟關斷特性的快速恢復二極體共同封裝在一起,並仍提供最小的反向恢復損耗。NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120FL3WG非常適用於不斷電系統(UPS)和太陽能逆變器,而NGTB40N120L3WG主要針對馬達驅動應用。

安森美半導體功率離散元件分部高級總監兼總經理Asif Jakwani說:「我們把新的超場截止IGBT配以優化的快速恢復二極體達到最佳狀態,完美地平衡了VCEsat和Ets,從而降低開關損耗,並增強硬開關應用在寬範圍開關頻率的電源能效。同時它還提供工程師期望從IGBT獲得的穩健運作和成本效益。」

封裝和定價
NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG都採用符合RoHS的TO-247封裝,每10,000片批量的單價分別為2.02美元、1.76美元和2.12美元。

關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)致力於推動高能效電子的創新,使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先於供應基於半導體的方案,提供全面的高能效電源管理、類比、感測器、邏輯、時序、互通互聯、離散、系統級晶片(SoC)及訂製元件陣容。公司的產品幫助説明工程師解決他們在汽車、通信、電腦、消費電子、工業、醫療、航空及國防應用等領域面臨的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質專案項目、一套強有力的守法和道德規範計畫,及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括製造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網路。更多資訊請瀏覽http://www.onsemi.com。

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