三重曝光的高動態範圍(HDR)確保捕捉同一場景的強光和弱光區域的細緻圖像

台灣,台北 – 2017年10月27日 – 推動高能效創新的安森美半導體(美國納斯達克上市代號:ON)推出一款全新的1/2.7英寸、230萬像素(Mp) CMOS數位圖像感測器,採用1936H x 1188V有效像素陣列。AR0239不單能夠在具挑戰性的強光和低光下生成非凡清晰及鮮明的數位圖像,還能夠捕捉連續視訊和單幀圖像,是安防和監控成像系統、隨身相機以及車載DVR(行車記錄器)等應用的理想之選。

AR0239 具有出色的低光拍照性能、增強的近紅外線(NIR)量子效率(QE)及捕捉高動態範圍場景功能等重要特性。高靈敏度的3 x 3 微米(μm)背照式(BSI)像素技術配合改進的NIR工藝,包括安森美半導體的DR-Pix™技術,使其敏感度和QE比上一代元件分別提高21%和10%。

該感測器具有像素合併(binning)和陣列框選(windowing)等各種精密相機功能,而且其片上類比數位轉換器(ADC)支援10位和12位元架構。該元件使用串列接口在線性模式下運行時,可實現完全兼容HiSPi/MiPi的高清晰度(HD),90fps下的解析度高達1080p,具有卓越的視訊性能。以高達30fps運行時,可實現兩重或三重曝光1080p HDR輸出。

經過優化的AR0239,易用於設計中,並提供多攝影機同步功能,簡化了更複雜的設置。採用iBGA封裝提高這款新的圖像感測器在高溫和高濕度下的工作性能及穩定性、可靠性。該元件的工作溫度範圍為-30C至+85C,符合工業應用規格。

安森美半導體消費方案部門副總裁暨總經理Gianluca Colli表示:「當今世界上一些發展迅速的重要成像應用中,富挑戰的混光場景為典型。安防和監控成像應用最為明顯,因為涉及安全、安防乃至人身安全都取決於所採用的圖像感測器技術的性能。AR0239能在強光和低光並存的同一應用場景中捕捉非常清晰、細緻及鮮明的圖像。這款功能強大的元件成為富挑戰應用中的視覺技術的一大進步。」

AR0239採用9 mm x 9 mm iBGA-63封裝。工程樣品現已上市,計劃於2017年11月量產。如需訂購樣品,請聯繫安森美半導體銷售代表。

關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)致力於推動高能效電子的創新,使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先於供應基於半導體的方案,提供全面的高能效電源管理、類比、感測器、邏輯、時序、互通互聯、分立、系統單晶片(SoC)及定制元件陣容。公司的產品幫助工程師解決他們在汽車、通訊、電腦、消費電子、工業、醫療、航空及國防應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質專案,一套強有力的守法和道德規範計畫,及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括製造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網路。更多資訊請訪問http://www.onsemi.com。

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