星期三, 30 9 月, 2020
Home Tags SST

Tag: SST

SST推出通過驗證的GLOBALFOUNDRIES BCDLite™製程嵌入式SuperFlash®產品

全球領先的整合微處理控制器、混合訊號、類比元件和快閃記憶體矽智財解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.日前透過其子公司Silicon Storage Technology(SST)宣佈推出已通過驗證的、基於GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite™ 技術平臺的、SST低光罩數嵌入式SuperFlash®非揮發性記憶體(NVM)產品。僅僅只需四個罩照步驟(masking steps)即可將SST嵌入式SuperFlash儲存解決方案和GLOBALFOUNDRIES的BCDLite技術結合在一起,為電源、微控制器(MCU)和工業IC設計人員提供一款高成本效益、高耐用性的嵌入式快閃記憶體解決方案。在諸如電池充電(5V-30V)等高容量電源應用領域,GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite平臺與SST SuperFlash嵌入式儲存功能的搭配將實現先進的電池監測功能,準確測量出電池的年齡和健康度。 作為業內首個結合SST嵌入式SuperFlash儲存技術和先進類比技術的平臺,GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite平臺擁有業界領先的低導通電阻,這使得設計人員能夠以小尺寸晶粒實現單晶片、可程式設計的電源解決方案。 SST全球市場行銷及業務開發總監Vipin Tiwari表示:「低光罩數嵌入式SuperFlash技術與先進130 nm BCDLite製程的結合,開闢了產品全新的應用潛力,尤其是對於電源管理市場而言,令人倍感振奮。現在,有BCDLite製程需求的客戶可以在降低成本的同時為其複雜演算法添加嵌入式SuperFlash儲存技術。」 「我們與SST合作開發出的這款130 nm BCD+NVM模組化平臺產品,為客戶提供了前所未有的整合度水準,適用於各類要求苛刻的電池供電應用,包括無人機、智慧馬達控制、以及正常關閉行動運算等。」GLOBALFOUNDRIES嵌入式儲存副總裁Dave Eggleston表示。 基於GLOBALFOUNDRIES 130...